工信部 国家密码管理局：征集工业和信息化领域商用密码典型应用方案

P-Bi2Se3的透射电子显微镜(TEM)分析表明，工信工业在200 nm~1 μm范围内呈不规则颗粒。

在高能射线探测成像（X-CT，部国PET等）用闪烁晶体与陶瓷，LED/激光照明用荧光陶瓷与玻璃等领域已取得一系列进展。三、家密【数据概览】移行助剂法是指在浮区法生长晶体的过程中，引入一个低熔点的组份做助熔剂。

码管密码E-mail：[email protected]【文章信息】Tong,Wu,LingWang,YunShi*,XintangHuang*,et.al.,Stablegrowthof(Ce,Gd)3Ga2Al3O12 crystalscintillatorsbythetravelingsolventfloatingzonemethod,CrystEngComm,2022,DOI:10.1039/D1CE01617B本文由作者供稿。【主要作者简介】武彤（1997-），理局领域女，硕士研究生，2019年进入华中师范大学物理科学与技术学院攻读硕士学位。最终获得的直径均一的长棒状Ce:GGAG晶体，征集如图4所示。

在未来的工作中，和信通过系统筛选助熔剂成分，有望进一步稳定熔区，实现无裂纹、高光学质量和闪烁性能优化。图3  光浮区法Ce:GGAG晶体生长中的熔区不稳现象照片(a-c);移行助剂法熔区稳定照片(d) ©RSC图4  不同助熔剂组份生长出的Ce:GGAG晶体照片 ©RSC如图5所示，息化采用gamma射线源(137Cs，息化662keV)激发下的脉冲高度谱表征其闪烁光产额，其中，组份为Gd2O3:Al2O3 =25:75的助熔剂相较于其他助熔剂组份，更为有效的控制了熔体体积，提高了晶体生长过程中的熔区稳定性，明显缓解了裂纹的萌生和扩展，生长出的Ce:GGAG晶体表现出最强的辐射发光强度和最高的光产额(34,132pho/MeV)。

图5:不同助熔剂组份生长出的Ce:GGAG晶体的脉冲高度谱与标准样品(光产额58, 000pho/MeV)对比示意图，商用gamma源(137Cs，商用662keV)，测试门宽0.75ms ©RSC四、【成果启示】本文工作表明，移行助剂法是一种可以稳定生长Ce:GGAG晶体的方法。

本研究工作得到了中国科学院科研仪器设备研制项目，典型中国科学院战略性先导科技专项和上海市科学技术委员会基金项目等的资助第三，应用室内玩耍时，应用应该和狗狗一起玩，可以给狗狗发出训练指令，比如坐下、趴下、转身等，让它们学习一些基本的技能，以及给它们发出指令，比如叫它们去和你玩抓抓游戏，或者让它们去抓一把毛绒玩具，这样可以增加它们的活动量。

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